9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PSMN3R4-30PL，127，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PSMN3R4-30PL，127参考价格1.72000美元。Nexperia USA Inc.PSMN3R4-30PL，127封装/规格：MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB。您可以下载PSMN3R4-30PL，127英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
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PSMN3R3-60PLQ是MOSFET N沟道MOSFET，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1沟道数量的信道，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为293 W，器件的下降时间为109 ns，器件的上升时间为100 ns，Id连续漏极电流为130 a，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.45 V，Rds漏极源极电阻为7.5 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为158ns，典型接通延迟时间为54.2ns，Qg栅极电荷为175nC。
带有NXP制造的用户指南的PSMN3R2-30YLC。PSMN3R2-30YLC在SOT-669封装中提供，是FET的一部分-单个。
PSMN3R3-40YS，带有NXP制造的电路图。PSMN3R3-40YS在SOT669封装中提供，是FET的一部分-单个。
PSMN3R4-30PL是NXP制造的MOSFET N-CH 30V TO220AB。PSMN3R4-30PL在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V TO220AB。
