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IPD65R225C7ATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 10.77453 10.77453
  • 库存: 80
  • 单价: ¥10.77454
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥10.77
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 11A(Tc)
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 225毫欧姆@4.8A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 240A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 20 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 996 pF@400 V
  • 最大功耗 63W (Tc)
  • 供应商设备包装 PG-TO252-3

IPD65R225C7ATMA1 产品详情

英飞凌的CoolMOS™ C7超结MOSFET系列是技术上的革命性进步,提供了世界上最低的RDS(打开)/由于其低开关损耗,全负载范围内的效率提高。

特色

  • 650V电压
  • 革命性的一流R DS(on)/套装
  • 输出电容中存储的能量减少(Eoss)
  • 下栅极电荷Qg
  • 通过使用更小的包装或减少零件来节省空间
  • 12年超结技术制造经验
  • 改进的安全裕度,适用于SMPS和太阳能逆变器应用
  • 最低传导损耗/封装
  • 低开关损耗
  • 更好的轻载效率
  • 提高功率密度
  • 出色的CoolMOS™ 质量

应用

  • 电信
  • 服务器
  • 太阳的
  • PC电源

 

IPD65R225C7ATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPD65R225C7ATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPD65R225C7ATMA1价格参考¥10.774538,你可以下载 IPD65R225C7ATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPD65R225C7ATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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