FQT7N10LTF

规格参数

• 制造厂商 安盛美 (onsemi)
• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压标 (Vdss) 100伏
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V, 10V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
• 包装/外壳 至261-4，至261AA
• 漏源电流 (Id) @ 温度 1.7A（Tc）
• 导通电阻 Rds(ON) 350毫欧姆 @ 850毫安, 10V
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6 nC @ 5 V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 290 pF@25 V
• 最大功耗 2W（Tc）
• 供应商设备包装 SOT-223-4