9icnet为您提供由Micro Commercial Co设计和生产的MCU80N03A-TP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MCU80N03A-TP参考价格0.63000美元。MicroCommercial Co MCU80N03A-TP封装/规格：MOSFET N-CH 30V 80A DPAK。您可以下载MCU80N03A-TP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IPAW60R600CEXKSA1带有引脚细节，包括管封装，它们设计为与IPAW60R700CE SP001391618零件别名一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作1N信道配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供82 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为11 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为10.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为58ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为20.5nC，沟道模式为增强。
带有用户指南的IPAW60R280CEXKSA1，包括2.5 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为71 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以9 ns上升时间提供，器件具有660 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为43 nC，Pd功耗为136 W，零件别名为IPAW60R280CE SP001391614，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为19.3 A，下降时间为9 ns，配置为1 N通道，通道模式为增强型。
IPAW60R380CEXKSA1，带有电路图，包括增强通道模式，它们设计为在1N通道配置下运行，下降时间显示在数据表注释中，用于8 ns，提供Id连续漏电流功能，例如15 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，器件采用TO-220-3封装盒，器件具有封装管，零件别名为IPAW60R380CE SP001391616，Pd功耗为112 W，Qg栅极电荷为32 nC，Rds漏极-源极电阻为890 mOhms，上升时间为9 ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为56ns，典型接通延迟时间为11ns，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Vgs栅-源极阈值电压为2.5V。
IP-AWW-CU，带有由IP制造的EDA/CAD模型。IP-AWW-CU在模块包中提供，是模块的一部分。
