9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的BSP126115，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。BSP126115参考价格0.63000美元。Nexperia USA Inc.股份有限公司BSP126115封装/规格：MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223。您可以下载BSP126115英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSP125H6327XTSA1是MOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3，包括BSP125系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于BSP125 H6327 SP001058576，提供单位重量功能，如0.008826 oz，安装类型设计用于SMD/SMT，以及SOT-223-4封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为1.8 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为110 ns，上升时间为14.4 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为120mA，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.9V，Rds导通漏极-电源电阻为25欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为7.7ns，Qg栅极电荷为4.4nC，并且前向跨导Min为0.06S，并且信道模式为增强。
BSP125H6433XTMA1是MOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3，包括1.3 V Vgs栅源阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.008826 oz，典型开启延迟时间设计为7.7 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有BSP125系列，上升时间为14.4 ns，Rds漏极-源极电阻为45欧姆，Qg栅极电荷为4.4 nC，Pd功耗为1.8 W，部件别名为BSP125 H6433 SP001058578，包装为卷筒，包装盒为SOT-223-4，通道数量为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为120 mA，正向跨导最小值为180 mS，下降时间为110 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
BSP125L6327是INFINEON制造的MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223。BSP125L6327在TO-261-4、TO-261AA封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223。
BSP126，带有NXP制造的EDA/CAD模型。BSP126在SOT-223封装中提供，是FET的一部分-单个。
