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TPN5R203PL,LQ

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Tc) 最大功耗: 610mW (Ta), 61W (Tc) 供应商设备包装: 8-TSON Advance (3.1x3.1) 工作温度: 175摄氏度
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 5.14245 5.14245
10+ 4.41816 44.18169
100+ 3.30131 330.13140
500+ 2.59411 1297.05850
1000+ 2.00454 2004.54500
3000+ 1.82767 5483.01900
6000+ 1.70975 10258.55400
  • 库存: 10576
  • 单价: ¥5.14246
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.14
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 工作温度 175摄氏度
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 22 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 38A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 5.2毫欧姆 @ 19A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.1V@200A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1975 pF@15 V
  • 最大功耗 610mW (Ta), 61W (Tc)
  • 供应商设备包装 8-TSON Advance (3.1x3.1)

TPN5R203PL,LQ 产品详情

TPN5R203PL,LQ所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TPN5R203PL,LQ 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TPN5R203PL,LQ价格参考¥5.142459,你可以下载 TPN5R203PL,LQ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TPN5R203PL,LQ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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