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SSN1N45BTA

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 450伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Tc) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.63545 4.63545
10+ 4.10672 41.06724
100+ 3.14631 314.63160
500+ 2.48735 1243.67850
1000+ 1.98991 1989.91400
2000+ 1.97861 3957.23000
  • 库存: 8581
  • 单价: ¥4.63546
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.64
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 供应商设备包装 TO-92-3
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 240 pF@25 V
  • 漏源电压标 (Vdss) 450伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 500毫安 (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 4.25欧姆 @ 250毫安, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.7V @ 250A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±50V
  • 最大功耗 900mW (Ta)
  • 包装/外壳 TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成型引线

SSN1N45BTA 产品详情

这些N沟道增强型功率场效应晶体管使用Fairchild专有的平面DMOS技术生产。这种先进的技术已经特别定制,以最小化导通电阻,提供优异的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合基于半桥配置的电子镇流器。

特色

  • 0.5A,450V,RDS(开启)=4.25Ω@VGS=10 V
  • 低栅极电荷(典型6.5 nC)
  • 低铬(典型值为6.5 pF)
  • 100%雪崩测试
  • 改进的dv/dt能力
  • 栅源电压±50V保证

应用

  • 照明
SSN1N45BTA所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SSN1N45BTA 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SSN1N45BTA价格参考¥4.635456,你可以下载 SSN1N45BTA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SSN1N45BTA规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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