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IRFS7430TRLPBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 195A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 26.25406 26.25406
  • 库存: 5
  • 单价: ¥26.25406
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥26.25
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 供应商设备包装 D2PAK
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 195A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.2毫欧姆@100A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.9V @ 250A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 460 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 14240 pF @ 25 V
  • 最大功耗 375W (Tc)

IRFS7430TRLPBF 产品详情

特色

  • 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 根据JEDEC标准进行产品鉴定
  • 针对10 V栅极驱动电压(称为正常电平)进行了优化
  • 硅优化用于低于100 kHz的应用切换
  • 与上一代硅相比,更柔软的体二极管
  • 行业标准表面安装电源组件
  • 与D2PAK(相同模具尺寸)相比,电流额定值更高(增加23%)
  • 高载流能力封装(高达240 A,取决于管芯尺寸)
IRFS7430TRLPBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRFS7430TRLPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRFS7430TRLPBF价格参考¥26.254064,你可以下载 IRFS7430TRLPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRFS7430TRLPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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