特色
- 13安培,30伏特
- RDS(ON)=8 mΩ@VGS=10 V
- RDS(ON)=10 mΩ@VGS=4.5 V
- 快速切换速度
- 低栅极电荷
- 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
- 高功率和电流处理能力
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 2.61106 | 2.61106 |
100+ | 2.44085 | 244.08570 |
1000+ | 2.25978 | 2259.78500 |
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