特色
- VGS=10V，ID=6.1A时，最大rDS（开）=27mΩ
- VGS=4.5V，ID=5.3A时，最大rDS（开）=36mΩ
- 超级SOT™ -6封装：占地面积小（比标准SO-8小72%）；外形小（1mm厚）。
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDC855N
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.1A (Ta) 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.14245 | 5.14245 |
| 10+ | 4.51232 | 45.12327 |
| 100+ | 3.45920 | 345.92090 |
| 500+ | 2.73434 | 1367.17000 |
| 1000+ | 2.18750 | 2187.50100 |
| 3000+ | 2.17504 | 6525.12900 |
- 库存: 10502
- 单价: ¥5.14246
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.14
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规格参数
- 宽（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13 nC@10 V
- 最大功耗 1.6W（Ta）
- 供应商设备包装 SuperSOT-6.
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
- 漏源电流 (Id) @ 温度 6.1A (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 27毫欧姆@6.1A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 655 pF @ 15 V
FDC855N 产品详情
该N沟道逻辑电平MOSFET是低压和电池供电应用的有效解决方案。利用先进的PowerTrench®工艺，该设备具有最小的导通电阻，以优化功耗。它们非常适合在线功耗严重的应用。
FDC855N 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | FDC021N30 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.1A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.33173 |
| FDC37C653QFP | FLOPPY DISK CONTROLLER | ¥38.31494 | |
| FDC37M813QFP | PC98/99 COMPLIANT ENHANCED SUPER | ¥16.87596 | |
| FDC37C65BLJP | 2.88MB FLOPPY DISK CONTROLLER | ¥43.52983 | |
| FDC37B777QFP | ENHANCED SUPER I/O CONTROLLER | ¥35.99721 | |
 | FDC92C39BTP | ENHANCED FLOPPY DISK INTERFACE | ¥84.81436 | |
 | FDC37C669FRQFP | SUPER I/O WITH LPC INTERFACE | ¥35.99721 | |
 | FDC6332L | 安盛美 (onsemi) | 开关种类: 一般用途 输出类别: P-通道 输入比率 / 输出比率: 1:1 输出配置: 高端 负载电压: 1.8伏~8伏 供应商设备包装: SuperSOT-6. | ¥21.00441 |
FDC855N所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDC855N 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDC855N价格参考￥5.142459，你可以下载 FDC855N中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDC855N规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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