9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI8429DB-T1-E1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI8429DB-T1-E1参考价格为1.09000美元。Vishay Siliconix SI8429DB-T1-E1封装/规格：MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT。您可以下载SI8429DB-T1-E1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI8425DB-T1-E1是MOSFET P-CH 20V MICROFOOT，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供商品名功能，如MICROFOET TrenchFET，封装盒设计为在4-UFBGA、WLCSP以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有4-WLCSP（1.6x1.6）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为1.1W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为2800pF@10V，FET特性为标准，最大Id Vgs的Rds为23mOhm@2A，4.5V，Vgs最大Id为900mV@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为110nC@10V、Pd功耗为2.7W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为200 ns，上升时间为50ns，Vgs栅极-源极电压为10V，Id连续漏极电流为-9.3A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs第栅极-源阈值电压为-900mV，Rds导通漏极-漏极电阻为23mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为600ns，典型接通延迟时间为50s，Qg栅极电荷为110nC，正向跨导Min为18S。
SI8424CDB-T1-E1是MOSFET N-CH 8V MICROFOOT，包括800mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在800 mV Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于5V，提供Vds漏极-源极击穿电压特性，如8 V，典型开启延迟时间设计为30 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以MICROFOOT TrenchFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，供应商器件封装为4 MICROFOOT，系列为TrenchFETR，上升时间为40 ns，Rds On Max Id Vgs为20 mOhm@2A，4.5V，Rds On Drain Source Resistance为20 m欧姆，Qg栅极电荷为40 nC，功率最大值为1.1W，Pd功耗为2.7W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为4-UFBGA，WLCSP，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，它的最大工作温度范围为+150 C，输入电容Cis-Vds为2340pF@4V，Id连续漏极电流为10A，栅极电荷Qg-Vgs为40nC@4.5V，正向跨导最小值为30S，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为40ns，漏极到源极电压Vdss为8V，配置为单一。
SI8424DB-T1-E1是VISHAY制造的MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP。SI8424DB-T1-E1以4-XFBGA、CSPBGA封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP、N沟道8V 12.2B（Tc）2.78W（Ta）、6.25W（Tc）表面安装4微脚、Trans MOSFET N-CH-Si 8V 8.1A 4引脚微脚T/R。
