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IRLU3636PBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 143W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
  • 包装/外壳 TO-251-3短引线,IPak,TO-251AA
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 50A (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@100A.
  • 供应商设备包装 I-PAK
  • 导通电阻 Rds(ON) 6.8毫欧姆 @ 50A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 49 nC @ 4.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3779 pF @ 50 V
  • 最大功耗 143W(Tc)

IRLU3636PBF 产品详情

N沟道功率MOSFET 60V至80V,英飞凌

Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。

特色

  • 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 根据JEDEC标准进行产品鉴定
  • 逻辑电平:针对10V栅极驱动电压进行了优化,能够提供4.5V栅极驱动电压
  • 行业标准通孔电源组件
  • 能够进行波峰焊接
IRLU3636PBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRLU3636PBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRLU3636PBF价格参考¥7.307362,你可以下载 IRLU3636PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRLU3636PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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