IPP50R190CEXKSA1

规格参数

• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 通孔
• 包装/外壳 至220-3
• 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
• 漏源电压标 (Vdss) 500 V
• 供应商设备包装 PG-TO220-3
• 漏源电流 (Id) @ 温度 18.5A（Tc）
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 13伏
• 导通电阻 Rds(ON) 190毫欧姆@6.2A，13V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@510A.
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 47.2 nC @ 10 V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1137 pF@100 V
• 最大功耗 127W（Tc）