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VN2210N3-G

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.2A(Tj) 最大功耗: 740mW (Tc) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 微芯 (Microchip)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 18.83154 18.83154
25+ 15.61569 390.39230
100+ 14.26127 1426.12700
  • 库存: 1035
  • 单价: ¥17.02082
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥18.83
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 制造厂商 微芯 (Microchip)
  • 供应商设备包装 TO-92-3
  • 包装/外壳 至226-3,至92-3(至226AA)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 5V, 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1.2A(Tj)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@10毫安
  • 导通电阻 Rds(ON) 350毫欧姆 @ 4A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 500 pF @ 25 V
  • 最大功耗 740mW (Tc)

VN2210N3-G 产品详情

VN2210N3-G是一种增强型(常关)晶体管,它采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生了具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有MOS结构的特点,该器件没有热失控和热诱导的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于广泛的开关和放大应用,其中需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

特色

  • 无二次击穿
  • 低功率驱动要求
  • 易于并联
  • 低CISS和快速切换速度
  • 优异的热稳定性
  • 集成源漏二极管
  • 高输入阻抗和高增益
VN2210N3-G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),VN2210N3-G 由 微芯 (Microchip) 设计生产,可通过久芯网进行购买。VN2210N3-G价格参考¥17.020815,你可以下载 VN2210N3-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询VN2210N3-G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商,为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利...

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