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IRLHM630TRPBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 2.7W(Ta)、37W(Tc) 供应商设备包装: PQFN(3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.99252 1.99252
  • 库存: 4
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  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.99
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、10伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 21A(Ta)、40A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 3.5欧姆@20A,4.5V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.1V@50A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 62 nC @ 4.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3170 pF @ 25 V
  • 最大功耗 2.7W(Ta)、37W(Tc)
  • 供应商设备包装 PQFN(3x3)
  • 包装/外壳 8-VQFN Exposed Pad

IRLHM630TRPBF 产品详情

特色

  • 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 根据JEDEC标准进行产品鉴定
  • 针对4.5 V栅极驱动电压(称为逻辑电平)进行优化,并能够在2.5 V栅极驱动电流(称为超级逻辑电平)下驱动
  • 行业标准表面安装电源组件
  • 高RDS(ON)SuperSO8封装的潜在替代方案
  • 能够进行波峰焊接
IRLHM630TRPBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRLHM630TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRLHM630TRPBF价格参考¥1.992522,你可以下载 IRLHM630TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRLHM630TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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