9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF540SPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF540SPBF价格参考2.46000美元。Vishay Siliconix IRF540SPBF封装/规格：MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK。您可以下载IRF540SPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF540PBF是MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于硅，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该设备在TO-220AB供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为150W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为1700pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为28A（Tc），最大Id Vgs的Rds为77mOhm@17A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为72nC@10V，Pd功耗为150W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为43 ns，上升时间为44 ns，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为28A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为77mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为53ns，典型接通延迟时间为11ns，沟道模式为增强。
IRF540NSTRRPBF是MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK，包括2 V至4 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，典型的开启延迟时间设计为11 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件具有35ns的上升时间，Rds漏极-源极电阻为44mOhms，Qg栅极电荷为47.3nC，Pd功耗为3.8W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为33 A，正向跨导最小值为21 S，下降时间为35 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IRF540S是由IR制造的MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK。IRF540S可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH100V 28B D2PAK、N沟道100V 28C（Ta）3.7W（Ta）、150W（Tc）表面安装D？PAK（至263）。
