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APL502J

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 52A (Tc) 最大功耗: 568W (Tc) 供应商设备包装: 同位素 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 微芯 (Microchip)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 632.66731 632.66731
100+ 581.24272 58124.27250
  • 库存: 130
  • 单价: ¥581.24273
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥632.67
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 15伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 500 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 制造厂商 微芯 (Microchip)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 52A (Tc)
  • 最大功耗 568W (Tc)
  • 安装类别 机箱安装
  • 包装/外壳 SOT-227-4,迷你超直瞄
  • 供应商设备包装 同位素
  • 导通电阻 Rds(ON) 90毫欧姆 @ 26A, 12V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 2.5毫安
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 9000 pF @ 25 V

APL502J 产品详情

线性MOSFET

线性Mosfet针对线性区域中的应用进行了优化,在该区域中,在接近DC的条件下(>100毫秒)可能会同时出现高电压和高电流。

•更高的FBSOA
•功耗更高
•受欢迎的SOT-227软件包

APL502J所属分类:分立场效应晶体管 (FET),APL502J 由 微芯 (Microchip) 设计生产,可通过久芯网进行购买。APL502J价格参考¥581.242725,你可以下载 APL502J中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询APL502J规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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