SISA12ADN-T1-GE3

规格参数

• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 漏源电压标 (Vdss) 30伏
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
• 制造厂商 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
• 漏源电流 (Id) @ 温度 25A（Tc）
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@250A.
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 45 nC @ 10 V
• 导通电阻 Rds(ON) 4.3毫欧姆 @ 10A, 10V
• 最大栅源极电压 (Vgs) +20伏、-16伏
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2070 pF@15 V
• 最大功耗 3.5W (Ta), 28W (Tc)
• 供应商设备包装 PowerPAK1212-8
• 包装/外壳 PowerPAK1212-8