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PSMN3R0-30YLDX是MOSFET 30V N沟道3.0mOhm，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于LFPAK-4，提供Si等技术特性，沟道数设计用于1沟道，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作91W Pd功率耗散。此外，下降时间为12.4 ns，器件的上升时间为21 ns，器件具有2.2 V的Vgs栅极-源极电压，Id连续漏极电流为100 a，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs第栅极-源阈值电压为2.2 V，Rds漏极源极电阻为4 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16.9ns，典型接通延迟时间为13.5ns，Qg栅极电荷为46.4nC，信道模式为增强。
带有NXP制造的用户指南的PSMN3R0-60。PSMN3R0-60采用TO-220封装，是FET的一部分-单个。
PSMN3R0-60BS，带有NXP/PH制造的电路图。PSMN3R0-60BS采用I2PAK封装，是FET的一部分-单个。
PSMN3R0-60ES是NXP/PH制造的MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK。PSMN3R0-60ES提供TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK。
