久芯网

NTHD3101FT1G

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A(Tj) 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 6.95318 6.95318
10+ 6.12749 61.27493
100+ 4.69846 469.84690
500+ 3.71430 1857.15200
1000+ 2.97147 2971.47200
3000+ 2.95459 8863.78800
  • 库存: 3219
  • 单价: ¥6.95318
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6.95
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 680 pF @ 10 V
  • 最大功耗 1.1W(Ta)
  • 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.2A(Tj)
  • 导通电阻 Rds(ON) 80毫欧姆 @ 3.2A, 4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7.4 nC @ 4.5 V
  • 场效应管特性 肖特基二极管(隔离)
  • 供应商设备包装 ChipFET

NTHD3101FT1G 产品详情

功率MOSFET-20V-4.4A 80mΩP沟道ChipFET™4.1肖特基势垒二极管

特色

  • 采用MOSFET和肖特基二极管的无引线SMD封装
  • 比TSOP-6封装小40%
  • 无引线SMD封装提供良好的热特性
  • 每个设备的独立引线,以简化电路设计
  • 低导通电阻沟槽P沟道
  • Ulta低VF肖特基

应用

  • 锂离子电池充电
  • 高端DC-DC转换电路
  • 小型无刷直流电机的高压侧驱动
  • 便携式电池供电产品中的电源管理


(图片:引出线)

NTHD3101FT1G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTHD3101FT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTHD3101FT1G价格参考¥6.953184,你可以下载 NTHD3101FT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTHD3101FT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部