9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的VRF152MP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VRF152MP参考价格301.3396美元。Microchip Technology VRF152MP封装/规格：RF MOSFET N沟道50V M174。您可以下载VRF152MP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如VRF152MP价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
VRF151是RF MOSFET晶体管RF MOSFET（VDMOS），包括RF功率MOSFET类型，它们设计用于卷盘封装，数据表说明中显示了用于Si的技术，提供了22dB等增益特性，输出功率设计用于150W，以及300W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150℃，它的最低工作温度范围为-65℃，器件的工作频率为175 MHz，器件的Vgs栅极-源极电压为40 V，Id连续漏极电流为16 a，Vds漏极-源极击穿电压为180 V，Vgs第栅极-源阈值电压为3.6 V，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为5 mS。
VRF152是RF MOSFET晶体管RF MOSFET（VDMOS），包括3.6 V Vgs栅源阈值电压，它们设计用于40 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于130 V，提供RF功率MOSFET、晶体管极性设计用于N沟道，以及Si技术，该器件也可以用作300W Pd功率耗散。此外，包装为卷筒式，该设备提供150 W输出功率，该设备具有175 MHz的工作频率，其最低工作温度范围为-65 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为20 a，增益为22 dB，正向跨导最小值为5 mS。
VRF151G是RF MOSFET晶体管RF MOSFET（VDMOS），包括SMD/SMT安装类型，它们设计用于SOE-4封装盒，包装如数据表说明所示，用于卷轴，提供Si等技术特性，类型设计用于RF功率MOSFET。
VRF150MP是RF MOSFET晶体管RF MOSFET（VDMOS），包括Si技术。
