特色
- 低Qg和Rg
- 高dv/dt额定值
- 纳秒开关
应用
射频通信
DE150-501N04A
- 描述:晶体管类别: n通道 额定电压: 500 V 额定电流（单位：安培）: 4.5A 输出端功率: 200瓦 供应商设备包装: DE150
- 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥234.54886
-
数量:
- +
- 总计: ¥234.55
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规格参数
- 部件状态 过时的
- 噪声系数 -
- 频率 -
- 增益 -
- 电压检测值 -
- 晶体管类别 n通道
- 输出端功率 200瓦
- 额定电压 500 V
- 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 包装/外壳 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- 额定电流（单位：安培） 4.5A
- 供应商设备包装 DE150
- 电流检测值 25A.
DE150-501N04A 产品详情
DE150-501N04A是一种N沟道增强型RF功率MOSFET，具有隔离衬底，可实现优异的热传递，提高温度和功率循环。低栅极电荷和电容易于驱动，无氧化铍或其他有害物质。
DE150-501N04A 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | DE115386-1B | ITT坎农 (ITT Cannon ) | DUB DE B/S QUICK DIS PLASTIC | ¥0.23813 |
 | DE1B3KX471KN4AN01F | 村田制作所 (Murata) | 电容: 470 pF 公差: ±10% 额定电压: 250VAC 温度系数: B 包装/外壳: 径向，圆盘 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 | ¥3.62145 |
 | DE1B3RA471KJ4BQ01F | 村田制作所 (Murata) | CAP CER | ¥1.94718 |
 | DE11XKX680JA4BC05F | 村田制作所 (Murata) | 电容: 68 pF 公差: ±5% 额定电压: 250VAC 温度系数: SL 包装/外壳: 径向，圆盘 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 | ¥1.92647 |
 | DE11XRB680KJ4BR01F | 村田制作所 (Murata) | 电容: 68 pF 公差: ±10% 额定电压: 500V 温度系数: SL 包装/外壳: 径向，圆盘 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 | ¥2.05076 |
 | DE1B3RB331KJ4BR01F | 村田制作所 (Murata) | 电容: 330 pF 公差: ±10% 额定电压: 500V 温度系数: B 包装/外壳: 径向，圆盘 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 | ¥2.05076 |
 | DE11XKX470JJ4BC05F | 村田制作所 (Murata) | CAP CER | ¥1.97746 |
 | DE11XRA100KJ4BQ01F | 村田制作所 (Murata) | CAP CER | ¥2.0299 |
 | DE1E3KX472MJ4BN01F | 村田制作所 (Murata) | 电容: 4700 pF 公差: ±20% 额定电压: 250VAC 温度系数: E 包装/外壳: 径向，圆盘 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 | ¥2.53502 |
 | DE1E3KX222MJ4BN01F | 村田制作所 (Murata) | 电容: 2200 pF 公差: ±20% 额定电压: 250伏 温度系数: E 包装/外壳: 径向，圆盘 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 | ¥1.97007 |
DE150-501N04A所属分类：场效应射频晶体管，DE150-501N04A 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DE150-501N04A价格参考￥234.548859，你可以下载 DE150-501N04A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DE150-501N04A规格参数、现货库存、封装信息等信息！
艾赛斯.力特 (IXYS)
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