9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的PD85050S,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。PD85050S参考价格74.4564美元。STMicroelectronics PD85050S封装/规格:RF MOSFET LDMOS 13.6V POWERSO-10。您可以下载PD85050S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PD85035S-E是RF MOSFET晶体管POWER R.F.N-Ch Trans,包括PD85035-E系列,它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作,包装如数据表注释所示,用于提供SMD/SMT等安装方式功能的管中,包装盒设计用于PowerSO-10RF(直引线),以及Si技术,该设备也可以在870MHz增益下用作14.9dB。此外,输出功率为35W,器件提供95W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-65 C,工作频率为1 GHz,Vgs栅源电压为15 V,Id连续漏电流为8 A,Vds漏源击穿电压为40 V,并且晶体管极性是N沟道。
PD85035STR-E是RF MOSFET晶体管POWER R.F.N-Ch Trans,包括15 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作,类型如数据表注释所示,用于RF功率MOSFET,提供晶体管极性特性,如N沟道,技术设计用于Si,以及PD85035-E系列,该器件也可以用作95W Pd功率耗散。此外,包装为卷轴式,设备采用PowerSO-10RF(直引线)封装盒,设备输出功率为35W,工作频率为1GHz,安装方式为SMD/SMT,最低工作温度范围为-65 C,最高工作温度范围+150 C,Id连续漏电流为8 a,在870MHz时增益为14.9dB。
PD85035STR1-E是RF MOSFET晶体管RF功率晶体管LdmoST N-ch塑料,在870 MHz增益下包括14.9 dB,它们设计为以8 a Id连续漏电流工作,其最大工作温度范围为+150 C,提供SMD/SMT等安装方式功能,工作频率设计为1 GHz,输出功率为35 W,该设备也可以用作PowerSO-10RF(直引线)封装盒。此外,封装为Reel,该器件提供95W Pd功耗,该器件具有PD85035-E系列,技术为Si,晶体管极性为N沟道,类型为RF功率MOSFET,Vds漏极-源极击穿电压为40V,Vgs栅极-源极电压为15V。
PD85050S带有EDA/CAD模型,包括Si技术,它们设计用于PD85050系列。