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PTFB182503EL V1是RF MOSFET晶体管RFP-LDMOS 9，包括RF功率MOSFET类型，它们设计为与托盘封装一起工作。数据表注释中显示了用于FB182503ELV1NP FB182503ELV1XP PTFB182503 ELV1XWSA1 SP000662894的零件别名，该产品提供封装盒功能，如H-33288-6，它的最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围是-40 C。此外，Vgs栅极-源极电压为10 V，器件提供1.85 A Id连续漏极电流，器件具有65 V Vds漏极-源极击穿电压，Rds漏极源极电阻为30 mOhms。
PTFB182407SH P4，带有INFINEON制造的用户指南。是IC芯片的一部分。
PTFB182503EL，带有INFINEON制造的电路图。是IC芯片的一部分。
