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MRF6S19140HSR3是MOSFET RF N-CHAN 28V 29W NI-880S，包括MRF6S19160H系列，它们设计用于RF功率MOSFET类型，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供单位重量功能，如0.238367盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及NI-880S-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，增益为16dB，该器件的输出功率为29W，该器件具有52.8W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，工作频率为1.93 GHz至1.99 GHz，Vgs栅极-源极电压为-0.5 V+12 V，Vds漏极-源极击穿电压为68 V，并且第Vgs栅极-源极阈值电压是3V，并且晶体管极性是N沟道。
MRF6S19140H SR3，带有FREESCALE制造的用户指南。MRF6S19140H SR3采用NI-880S封装，是RF FET的一部分，支持MOSFET RF N-CHAN 28V 29W NI-880S。
MRF6S19140HS，电路图由freescale制造。MRF6S19140HS采用SMD封装，是RF FET的一部分。
MRF6S19140HSR5是FSL制造的RF Mosfet LDMOS 28V 1.15A 1.93GHz~1.99GHz 16dB 29W NI-880S。MRF6S19140HSR5以模块封装形式提供，是模块的一部分，支持RF Mosfet LDMOS 28V 1.15A 1.93GHz~1.99GHz 16dB 29W NI-880S。
