PD84008L-E是一个共源N沟道增强型横向场效应RF功率晶体管。它设计用于高增益、宽带商业和工业应用。它在频率高达1GHz的共源模式下工作在7.5V。PD84008L-E拥有安装在无引线SMD塑料RF功率封装PowerFLAT中的ST最新LDMOS技术的卓越增益、线性和可靠性。
特色
- 优异的热稳定性
- 公共源配置
- 撅嘴=8Wwith13dBgain@870MHz/7.5伏
- 塑料包装
- ESD保护
- 不符合2002/95/EC欧洲指令
PD84008L-E
- 描述:晶体管类别: LDMOS 额定电压: 25伏 额定电流（单位：安培）: 7A 频率: 870MHz 输出端功率: 2W 供应商设备包装: PowerFLAT（5x5）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 69.09726 | 69.09726 |
| 10+ | 62.44828 | 624.48284 |
| 25+ | 59.53953 | 1488.48837 |
- 库存: 28
- 单价: ¥69.09727
-
数量:
- +
- 总计: ¥69.10
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规格参数
- 部件状态 过时的
- 晶体管类别 LDMOS
- 噪声系数 -
- 增益 15.5分贝
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 输出端功率 2W
- 电流检测值 250毫安
- 额定电压 25伏
- 频率 870MHz
- 电压检测值 7.5 V
- 包装/外壳 8-PowerVDFN
- 供应商设备包装 PowerFLAT（5x5）
- 额定电流（单位：安培） 7A
PD84008L-E 产品详情
PD84008L-E 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | PD81101EVB-MBB | POE PSE CONTROLLER | ¥3,767.11921 | |
| PD81101EVB-MBS | POE PSE CONTROLLER | ¥1,683.22099 | |
| PD81101EVB-15WB | POE PSE CONTROLLER | ¥1,850.77824 | |
| PD81101EVB-15WT | POE PSE CONTROLLER | ¥2,911.2402 | |
 | PD86CNP12QPMU | 瑞士佳乐 (Carlo Gavazzi) | 传感方式: 反光 输出配置: SPST 传感距离: 472.441" (12m) 电源电压: 12~24伏直流电，12~24真空 响应时长: 20ms, 30ms | ¥818.4477 |
| PD86HNP12QPMU-01C | 瑞士佳乐 (Carlo Gavazzi) | 传感方式: 反光 光源: 红外（660nm） 传感距离: 472" (12m) 39.4' 电源电压: 12伏~24伏 响应时长: 20ms, 30ms | ¥1,678.04956 |
| PD81000-GGGG | POE PSE CONTROLLER | ¥67.69277 | |
| PD81101ILQ-TR | POE PSE CONTROLLER | ¥27.5037 | |
| PD82000-GGGG | POE PSE CONTROLLER | ¥43.00834 | |
| PD800A23048 | 东电化 - Lambda (TDK) | 种类: 围住的 输出数量: one 电压输出1: 50.5V 功率（瓦特）: 808W 效率值: 90% 工作温度: -20摄氏度~85摄氏度 | ¥2,026.76622 |
PD84008L-E所属分类：场效应射频晶体管，PD84008L-E 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。PD84008L-E价格参考￥69.097266，你可以下载 PD84008L-E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询PD84008L-E规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
