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MRFE6S9125NR1是MOSFET RF N-CH 27W TO-270-4，包括MRFE6S 9125N系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.058073盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于TO-270 WB EP，以及Si技术，该设备还可以用作19 dB 20 dB 20.2 dB增益。此外，输出功率为27 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，工作频率为880 MHz，Vgs栅极-源极电压为-0.5 V 12 V，Vds漏极-源极击穿电压为-0.5V 66 V，Vgs第二栅极-源极端电压为2.1 V，晶体管极性为N沟道。
MRFE6S9125NBR1是RF MOSFET晶体管HV6E 125W，包括2.1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在-0.5 V 12 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-0.5 V 66 V，提供2 g等单位重量特性，晶体管极性设计为在N沟道工作，该器件也可以用作MRFE6S9125N系列。此外，包装为卷筒式，该设备采用TO-272 WB EP包装盒，该设备输出功率为27 W，工作频率为880 MHz，安装方式为SMD/SMT，最低工作温度范围为-65 C，最高工作温度范围+150 C，增益为19 dB 20 dB 20.2 dB。
MRFE6S9130H，电路图由FREESCALE制造。MRFE6S9130H采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
