9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3552DV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3552DV-T1-GE3参考价格为0.87000美元。Vishay Siliconix SI3552DV-T1-GE3封装/规格：MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP。您可以下载SI3552DV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI3552DV-T1-E3是MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI3552DV E3的部件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.000705盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及TrenchFET商品名，该器件也可以用作SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，信道数为2信道，供应商器件封装为6-TSOP，配置为1 N信道1 P信道，FET类型为N和P信道，功率最大值为1.15W，晶体管类型为1 N通道1 P信道，漏极到源极电压Vdss为30V，FET特性为逻辑电平门，最大Id Vgs上的Rds为105 mOhm@2.5A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA（最小），栅极电荷Qg Vgs为3.2nC@5V，Pd功耗为1.15 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns 7 ns，上升时间为9ns 12ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为2.5A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为105mOhms 175mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为13ns 12ns、典型接通延迟时间为7ns 8ns，并且信道模式是增强。
SI3552DV，带有Vishay制造的用户指南。SI3552DV在SOT-163封装中提供，是FET阵列的一部分。
SI3552DV-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI3552DV-T1在SOT23-6封装中提供，是FET阵列的一部分。
