9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3590DV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3590DV-T1-GE3参考价格为0.95000美元。Vishay Siliconix SI3590DV-T1-GE3封装/规格：MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP。您可以下载SI3590DV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI3590DV-T1-E3是MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI3590DV-T1中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.000705 oz，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为6-TSOP，配置为1个N通道1个P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为830mW，晶体管类型为1 N沟道1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，FET特性为逻辑电平门，25°C时的电流连续漏极Id为2.5A、1.7A，Rds On最大Id Vgs为77mOhm@3A、4.5V，Vgs th最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为4.5nC@4.5V，Pd功耗为830 mW，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为12 ns 15 ns，上升时间为12 ns15 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为2.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为77 mOhms 170 mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为13ns 20ns，典型接通延迟时间为5ns，沟道模式为增强。
Si3590DV，带有Vishay制造的用户指南。Si3590DV在TSOP-6封装中提供，是FET阵列的一部分。
SI3590DV-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI3590DV-T1在SOT-163封装中提供，是FET阵列的一部分。
