9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3900DV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3900DV-T1-GE3参考价格为1.02000美元。Vishay Siliconix SI3900DV-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP。您可以下载SI3900DV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3900DV-T1-E3是MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。SI3900DV-E3中使用的数据表注释中显示了零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.000705盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该器件也可以用作SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为2通道，供应商器件封装为6-TSOP，配置为双通道，FET类型为2N通道（双通道），最大功率为830mW，晶体管类型为2N-通道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2A，最大Id Vgs的Rds为125 mOhm@2.4A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为4nC@4.5V，Pd功耗为830 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为30ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为2A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通-漏极-漏极电阻为125mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14ns，典型导通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
带有用户指南的SI-38-QC-8GB，包括AMD R464L处理器类型，它们设计为与AMD R464R处理器系列一起工作，处理器品牌显示在AMD中使用的数据表说明中，提供了SYS-SI38-QC-8GB等部件别名功能，包装设计为批量工作，以及12 V工作电源电压，其最低工作温度范围为0 C。此外，内存类型为DDR3-1600，设备提供4 GB内存大小，其最大工作温度范围为+45℃，接口类型为RJ-45 USB，频率为2.3 GHz，外形尺寸为SO-DIMM，尺寸为270 mm x 181 mm x 26.5 mm，和描述功能是标牌播放器与AMD R464L四核2.3 GHz CPU 4 GB DDR3 SO-DIMM 2.5在320 GB SATA HDD 84 W电源适配器，芯片组是AMD A70M。
SI3900DV-T1是VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 20V 2A 6引脚TSOP T/R。SI3900DV-T1采用SOT23-6封装，是FET阵列的一部分，支持Trans MOSFET N-CH 20V 2A 6引脚TSOP T/R。
