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BUK9K12-60EX，带引脚细节，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SOT-1205，8-LFPAK56包装盒，技术如数据表注释所示，用于Si，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及LFPAK56D供应商设备包，该器件也可以用作2N沟道（双）FET型。此外，功率最大值为68W，该器件提供60V漏极到源极电压Vdss，该器件具有3470pF@25V输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为35A，最大Id Vgs上的Rds为10.7 mOhm@15A，10V，Vgs最大Id为2.1V@1mA，栅极电荷Qg-Vgs为24.5nC@5V。
BUK9K17-60EX带有用户指南，其中包括2.1V@1mA Vgs th Max Id，它们设计为使用Si技术操作。数据表说明中显示了用于LFPAK56D的供应商设备包，该设备提供Rds on Max Id Vgs功能，例如15.6 mOhm@10A，10V，Power Max设计为53W，以及Digi-ReelR替代封装，该设备也可以用作SOT-1205，8-LFPAK56封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2223pF@25V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为16.5nC@5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V，25°C的电流连续漏电流Id为26A。
BUK9K134-100EX带有电路图，包括8.5A电流连续漏极Id 25°C，设计用于100V漏极到源极电压Vdss，数据表说明中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于7.4nC@5V，以及755pF@25V输入电容Cis-Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备采用SOT-1205，8-LFPAK56封装盒，该设备具有Digi-ReelR替代封装，最大功率为32W，Rds On Max Id Vgs为159 mOhm@5A，5V，供应商设备封装为LFPAK56D，技术为Si，Vgsth最大Id为2.1V@1mA。
BUK9K13-60EX带有EDA/CAD型号，包括表面安装型，设计用于SOT-1205，8-LFPAK56封装盒，FET功能如数据表注释所示，用于逻辑电平门，提供供应商设备封装功能，如LFPAK56D，封装设计用于Digi-ReelR替代封装，以及64W最大功率，该器件还可以用作60V漏极到源极电压Vdss，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件提供40A电流连续漏极Id 25°C，该器件具有2953pF@25V输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为22.4nC@5V，Vgs最大Id为2.1V@1mA，FET类型为2N通道（双），最大Id Vgs的Rds为12.5 mOhm@10A，5V。
