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DMTH6016LSDQ-13

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A (Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 8.98119 8.98119
10+ 8.02513 80.25133
100+ 6.25424 625.42440
500+ 5.16650 2583.25250
1000+ 4.07876 4078.76700
2500+ 3.80686 9517.17000
5000+ 3.70800 18540.01500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥8.98120
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8.98
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 场效应管特性 标准
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SO
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 60V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17nC @ 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 864皮法 @ 30V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7.6A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 19.5欧姆@10A,10V
  • 最大功率 1.4瓦、1.9瓦

DMTH6016LSDQ-13 产品详情

双N沟道MOSFET,二极管股份有限公司。
DMTH6016LSDQ-13所属分类:场效应晶体管阵列,DMTH6016LSDQ-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMTH6016LSDQ-13价格参考¥8.981196,你可以下载 DMTH6016LSDQ-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMTH6016LSDQ-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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