9icnet为您提供NXP USA Inc.设计生产的PMDPB38UNE，115，现场在9icnet销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。PMDPB38UNE，115参考价格$0.08000。NXP美国股份有限公司PMDPB38UNE，115封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6。您可以下载PMDPB38UNE，115英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如PMDPB38UNE，115价格，库存数量，数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
PMDPB30XN，115是MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON，包括Digi-ReelR交替封装，它们设计用于6-UDFN暴露焊盘封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于6-HUSON（2x2），以及2 N通道（双）FET类型，该器件还可以用作490mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供660pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4A，最大Id Vgs的Rds为40mOhm@3A，4.5V，Vgs th最大Id为900mV@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为21.7nC@4.5V。
PMDPB28UN，115是MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于6-HUSON（2x2）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于37 mOhm@4.6A，4.5V，提供功率最大特性，如510mW，封装设计用于Digi ReelR，以及6-UDFN裸露焊盘封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供265pF@10V输入电容Cis-Vds，器件具有4.7nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C电流连续漏极Id为4.6A。
PMDPB28UN，带有NXP制造的电路图。PMDPB28UN在DFN2020-6封装中提供，是FET阵列的一部分。
