9icnet为您提供由NXP USA Inc.设计和生产的PMDPB42UN，115，在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PMDPB42UN，115参考价格0.21000美元。NXP美国股份有限公司PMDPB42UN，115封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6。您可以下载PMDPB42UN，115英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
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PMDPB30XN，115是MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON，包括Digi-ReelR交替封装，它们设计用于6-UDFN暴露焊盘封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于6-HUSON（2x2），以及2 N通道（双）FET类型，该器件还可以用作490mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供660pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4A，最大Id Vgs的Rds为40mOhm@3A，4.5V，Vgs th最大Id为900mV@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为21.7nC@4.5V。
PMDPB38UNE，115是MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于6-HUSON（2x2）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs如数据表注释所示，用于46 mOhm@3A，4.5V，提供510mW等功率最大功能，包装设计用于Digi ReelR，以及6-UDFN暴露焊盘封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供268pF@10V输入电容Cis-Vds，器件具有4.4nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为4A。
带有NXP制造的电路图的PMDPB42UN。PMDPB42UN在DFN2020-6封装中提供，是FET阵列的一部分。
