9icnet为您提供NXP USA Inc.设计生产的PMDPB56XN，115，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。PMDPB56XN，115参考价格0.21000美元。NXP美国股份有限公司PMDPB56XN，115封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6。您可以下载PMDPB56XN，115英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PMDPB55XP，115是MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON，包括Digi-ReelR交替封装，它们设计用于6-UDFN暴露焊盘封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于6-HUSON（2x2），除了2 P通道（双）FET类型外，该器件还可以用作490mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供785pF@10V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET功能的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为3.4A，最大Id Vgs的Rds为70 mOhm@3.4A、4.5V，Vgs th最大Id为900mV@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为25nC@5V。
PMDPB42UN，115是MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于6-HUSON（2x2）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于50 mOhm@3.9A，4.5V，提供功率最大特性，如510mW，封装设计用于Digi ReelR，以及6-UDFN裸露焊盘封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供185pF@10V输入电容Ciss Vds，该器件具有3.5nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C电流连续漏极Id为3.9A。
PMDPB56XN，带有NXP制造的电路图。PMDPB56XN在DFN2020-6封装中提供，是FET阵列的一部分。
