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PMDPB65UP，115是MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118，包括Digi-ReelR封装，它们设计为与6-UDFN暴露焊盘封装外壳一起工作，其工作温度范围为150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计为在6-HUSON（2x2）以及2 P通道（双）FET类型中工作，该器件还可以用作520mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供380pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.5A，最大Id Vgs的Rds为70 mOhm@1A，4.5V，Vgs th最大Id为1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为6nC@4.5V。
PMDPB65UP，带有NXP制造的用户指南。PMDPB65UP在SOT1118封装中提供，是FET阵列的一部分。
带有NXP制造的电路图的PMDPB70EN。PMDPB70EN在DFN封装中提供，是FET阵列的一部分。
