9icnet为您提供NXP USA Inc.设计生产的PMDPB95XNE，115，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂、代理商等渠道购买。PMDPB95XNE，115价格参考0.06000美元。NXP美国股份有限公司PMDPB95XNE，115封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6。您可以下载PMDB95XNE，115英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
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PMDPB80XP，115，带引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于6-UDFN暴露焊盘封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于6-HUSON（2x2）以及2 P通道（双）FET类型，该器件还可以用作485mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供550pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有逻辑电平门，1.8V FET驱动功能，电流连续漏极Id 25°C为2.7A，最大Id Vgs为102mOhm@2.7A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为8.6nC@4.5V。
PMDPB85UPE，115，带有用户指南，包括950mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于6-HUSON（2x2）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs如数据表注释所示，用于103 mOhm@1.3A，4.5V，提供515mW等功率最大功能，包装设计用于Digi-ReelR备用包装，以及6-UDFN裸露衬垫包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供514pF@10V输入电容Ciss Vds，该器件具有8.1nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为2.9A。
PMDPB70XPE，115是MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON，包括3A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在7.5nC@4.5V下工作，除了600pF@10V输入电容Ciss Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用6-UDFN裸露衬垫封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，最大功率为515mW，最大Id Vgs上的Rds为79 mOhm@2A，4.5V，供应商设备包为6-DFN2020（2x2），Vgs th Max Id为1.25V@250μA。
PMDPB70XP，115是MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN，包括表面安装型，它们设计为与逻辑电平栅极FET功能一起工作。数据表注释中显示了用于Digi-ReelR替代封装的封装，该封装提供最大Id Vgs功能，如87 mOhm@2.9A，4.5V，栅极电荷Qg Vgs设计为在7.8nC@5V下工作，以及6-UDFN外露衬垫包装盒，该设备也可以用作6-HUSON（2x2）供应商设备包装。此外，输入电容Cis-Vds为680pF@15V，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），器件最大功率为490mW，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为2.9A，FET类型为2 P通道（双），Vgs最大Id为1V@250μa。
