STS10DN3LH5

规格参数

• 安装类别 表面安装
• 场效应管特性 逻辑电平门
• 漏源电压标 (Vdss) 30伏
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
• 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
• 场效应管类型 2个N通道（双通道）
• 部件状态 不适用于新设计
• 供应商设备包装 8-SOIC
• 最大功率 2.5瓦
• 漏源电流 (Id) @ 温度 10A
• 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
• 导通电阻 Rds(ON) 21毫欧姆@5A，10V
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.6nC @ 5V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 475皮法 @ 25V