该器件是使用STMicroelectronics的STripFET H5技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件经过优化,可实现极低的导通电阻,从而使FoM成为同类产品中的佼佼者。
特色
- AEC-Q101合格
- 低通电阻
- 高雪崩强度
- 低门驱动功率损失
- 可湿侧包装
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 11.15406 | 11.15406 |
10+ | 9.95174 | 99.51745 |
100+ | 7.76076 | 776.07670 |
500+ | 6.41083 | 3205.41800 |
1000+ | 5.36785 | 5367.85800 |
3000+ | 5.36793 | 16103.79000 |
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该器件是使用STMicroelectronics的STripFET H5技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件经过优化,可实现极低的导通电阻,从而使FoM成为同类产品中的佼佼者。
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