9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4900DY-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4900DY-T1-E3价格参考1.31000美元。Vishay Siliconix SI4900DY-T1-E3封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC。您可以下载SI4900DY-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI4900DY-T1-E3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI4896DY-T1-E3是MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，零件别名显示在数据表注释中，用于SI4896DY E3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该器件还可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳。此外，该技术为硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装类型的表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为8-SO，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.56W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为80V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为6.7A（Ta），最大Id Vgs的Rds为16.5 mOhm@10A，10V，Vgs的最大Id为2V@250μA（Min），栅极电荷Qg Vgs为41nC@10V，Pd功耗为3.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为11纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为9.5A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Rds导通漏极-电源电阻为16.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为17ns，沟道模式为增强。
SI4896DY-T1-GE3是MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC，包括2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于80 V，提供单位重量功能，如0.017870 oz，典型开启延迟时间设计为17 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件具有11 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为16.5 mOhms，Qg栅极电荷为34 nC，Pd功耗为3.1 W，部件别名为SI4896DY-GE3，封装为卷轴，封装外壳为SO-8，通道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为9.5 A，下降时间为31 ns，配置为单一。
SI4898DY-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI4898DY-T1-E3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
