9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的BUK9K8R7-40EX，在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。BUK9K8R7-40EX价格参考1.36000美元。Nexperia USA Inc.BUK9K8R7-40EX封装/规格：MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK。您可以下载BUK9K8R7-40EX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BUK9K6R8-40E带有引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.017870盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供SO-8等封装盒功能，技术设计用于Si，以及2通道数量的通道，该设备也可以用作双配置。此外，晶体管类型为2N沟道，该器件提供64W Pd功耗，该器件具有20ns的下降时间，上升时间为22ns，Vgs栅极-源极电压为10V，Id连续漏极电流为40A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.7V，Rds漏极源极电阻为6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为27ns，典型接通延迟时间为13ns，Qg栅极电荷为22.2nC，沟道模式为增强。
BUK9K89-100E，115带用户指南，包括2.1V@1mA Vgs th Max Id，设计用于LFPAK56D供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于汽车、AEC-Q101、TrenchMOS？、？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如85 mOhm@5A，10V，Power Max设计为工作在38W，以及Digi-ReelR替代包装包装，该设备也可以用作SOT-1205，8-LFPAK56包装箱，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该设备采用表面安装安装型，该器件的输入电容Cis-Vds为1108pF@25V，栅极电荷Qg-Vgs为16.8nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极-源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id 25°C为12.5A。
BUK9K6R8-40EX带有电路图，包括40A电流连续漏极Id 25°C，设计用于40V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于22.2nC@5V，以及3000pF@25V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备采用SOT-1205，8-LFPAK56封装盒，该设备具有Digi-ReelR替代封装，最大功率为64W，最大Rds Id Vgs为6.1 mOhm@10A，10V，供应商设备封装为LFPAK56D，技术为Si，Vgsth最大Id为2.1V@1mA。
BUK9K89-100E，带有NXP制造的EDA/CAD模型。是FET阵列的一部分。
