9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7270DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7270DP-T1-GE3参考价格为0.71美元。Vishay Siliconix SI7270DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8。您可以下载SI7270DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7252DP-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO，包括TrenchFET系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于ThunderFET TrenchFET，以及PowerPAKR SO-8双包装箱，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8双通道，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为46W，晶体管类型为2 N-通道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为1170pF@50V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为36.7A，最大Id Vgs的Rds为17mOhm@15A、10V，Vgs最大Id为3.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为27nC@10V，Pd功耗为46W，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为7ns，上升时间为12ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为36.7A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第h栅极-源极端电压为1.5V至3.5V，Rds导通漏极-源极电阻为20mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为17.5nC，正向跨导Min为40S。
SI7236DP-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于12 V Vgs栅源电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供单位重量功能，如0.017870 oz，典型开启延迟时间设计为30 ns 10 ns，该器件还可以用作2N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有PowerPAKR SO-8双电源器件封装，系列为TrenchFETR，上升时间为100 ns 15 ns，Rds On Max Id Vgs为5.2 mOhm@20.7A，4.5V，Rds On漏极-源极电阻为5.2 m欧姆，功率最大值为46W，Pd功耗为3.5W，零件别名为SI7236DP-GE3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为PowerPAKR SO-8 Dual，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最低工作温度范围是-55°C，其最大工作温度范围为+150 C，输入电容Cis-Vds为4000pF@10V，Id连续漏极电流为20.7 A，栅极电荷Qg-Vgs为105nC@10V；FET类型为2 N通道（双），FET特性为标准，下降时间为22 ns 10 ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为60A，并且配置是双重的，信道模式是增强的。
SI7236DP-T1-E3是MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO，包括增强通道模式，它们设计用于双配置，电流连续漏极Id 25°C如数据表注释所示，用于60A，提供漏极到源极电压Vdss功能，如20V，下降时间设计用于22 ns 10 ns，以及标准FET功能，该器件也可以用作2N沟道（双）FET型。此外，栅极电荷Qg Vgs为105nC@110V，器件提供20.7 A Id连续漏极电流，器件具有4000pF@110V输入电容Cis-Vds，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为表面安装，安装类型是SMD/SMT，通道数为2通道，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），封装外壳为PowerPAKR SO-8 Dual，封装为磁带和卷轴（TR），零件别名为SI7236DP-E3，Pd功耗为3.5W，最大功率为46W，漏极电阻为5.2mOhm，Rds On Max Id Vgs为5.2mohm@20.7A，4.5V，上升时间为100ns 15ns，系列为TrenchFETR，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8 Dual，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，典型关断延迟时间为80ns 60ns，典型开启延迟时间为30ns 10ns，单位重量为0.017870 oz，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅源极电压为12V，Vgsth最大Id为1.5V@250μA。
