9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4948BEY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4948BEY-T1-GE3价格参考1.38000美元。Vishay Siliconix SI4948BEY-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC。您可以下载SI4948BEY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4948BEY-T1-E3是MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI4948EY-E3的零件别名，该SI4948BY-E3提供单位重量功能，例如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为8-SO，配置为双通道，FET类型为2个P通道（双通道），最大功率为1.4W，晶体管类型为2 P沟道，漏极至源极电压Vdss为60V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.4A，最大Id Vgs上的Rds为120 mOhm@3.1A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为22nC@10V，Pd功耗为1.4W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为15 ns，上升时间为15纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Rds漏极源极电阻为120毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为10ns，信道模式为增强。
SI4948BEY是由VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8引脚SOIC N。SI4948BEY在SOP8封装中提供，是FET阵列的一部分，支持Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8引脚SOIC N。
SI4948BEY-T1，带有VISHAY制造的电路图。SOP-8中提供了SI4948BEY-T1。封装是FET阵列的一部分。
