9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的VQ1001P-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VQ1001P-E3参考价格为0.544美元。Vishay Siliconix VQ1001P-E3封装/规格：MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP。您可以下载VQ1001P-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VQ1001P-2是MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP，包括0.042329 oz单位重量，设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于PDIP-14，提供Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及4个通道数，该设备也可以用作四元配置。此外，FET类型为4 N通道，该器件提供2W功率最大，该器件具有4 N通道晶体管类型，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为110pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为830mA，最大Id Vgs为1.75 Ohm@200mA，5V，Vgs th最大Id为2.5V@1mA，Pd功耗为2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为830 mA，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为1欧姆，晶体管极性为N沟道，信道模式是增强。
带有SIL制造的用户指南的VQ1001P-2（VQ1001P）。VQ1001P-2（VQ1001P）采用AUCDIP封装，是IC芯片的一部分。
带有SIL制造的电路图的VQ1001P-7。VQ1001P-7采用CDIP封装，是IC芯片的一部分。
