9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的VQ1006P,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。VQ1006P参考价格为0.842美元。Vishay Siliconix VQ1006P封装/规格:MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP。您可以下载VQ1006P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如VQ1006P价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
现在这个模型已经过时了。9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的,你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息,如VQ1006P库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信,所以请随时与我们联系。
VQ1004P-2是MOSFET QSB14LD VNDQ06,包括0.042329盎司单位重量,它们设计用于通孔安装型,数据表说明中显示了用于CDIP-14的封装盒,该CDIP-14提供Si等技术特性,通道数设计用于4通道,以及四通道配置,该器件也可以用作4 N通道晶体管类型。此外,Pd功耗为2 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为460 mA,Vds漏极-源极击穿电压为60 V,Rds漏极源极电阻为3.5欧姆,晶体管极性为N沟道,并且信道模式是增强。
VQ1004P-E3是MOSFET Quad NCH 60V 3.5R,包括20 V Vgs栅极-源极电压,它们设计用于60 V Vds漏极-源极击穿电压,单位重量显示在数据表注释中,用于0.042329盎司,提供晶体管类型功能,如4 N沟道,晶体管极性设计用于N沟道以及Si技术,该器件也可以用作3.5欧姆Rds漏极-源极电阻。此外,Pd功耗为2 W,该设备采用CDIP-14封装盒,该设备具有4个通道,通道数量为,安装方式为通孔,其最小工作温度范围为-55 C,最大工作温度范围+150 C,Id连续漏电流为460 mA,配置为Quad,并且信道模式是增强。
VQ1006J,电路图由SIL制造。VQ1006J采用DIP14封装,是IC芯片的一部分。