9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的VQ1006P-2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VQ1006P-2参考价格为26.132美元。Vishay Siliconix VQ1006P-2封装/规格：MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP。您可以下载VQ1006P-2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VQ1006P是MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP，包括管封装，它们设计用于0.042329盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供封装外壳功能，如PDIP-14，技术设计用于硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可以用作4信道数信道。此外，配置为Quad，该器件提供4 N通道FET类型，该器件最大功率为2W，晶体管类型为4 N通道，漏极到源极电压Vdss为90V，输入电容Ciss Vds为60pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为400mA，最大Rds Id Vgs为4.5 Ohm@1A，10V，Vgs最大Id为2.5V@1mA，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为400 mA，Vds漏极-源极击穿电压为90 V，Rds漏极源极电阻为4欧姆，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强。
VQ1004P-E3是MOSFET Quad NCH 60V 3.5R，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于60 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.042329盎司，提供晶体管类型功能，如4 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及Si技术，该器件也可以用作3.5欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为2 W，该设备采用CDIP-14封装盒，该设备具有4个通道，通道数量为，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为460 mA，配置为Quad，并且信道模式是增强。
VQ1006J，电路图由SIL制造。VQ1006J采用DIP14封装，是IC芯片的一部分。
