9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的VQ1006P-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VQ1006P-E3参考价格为1.406美元。Vishay Siliconix VQ1006P-E3封装/规格：MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP。您可以下载VQ1006P-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VQ1006P是MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP，包括管封装，它们设计用于0.042329盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供封装外壳功能，如PDIP-14，技术设计用于硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可以用作4信道数信道。此外，配置为Quad，该器件提供4 N通道FET类型，该器件最大功率为2W，晶体管类型为4 N通道，漏极到源极电压Vdss为90V，输入电容Ciss Vds为60pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为400mA，最大Rds Id Vgs为4.5 Ohm@1A，10V，Vgs最大Id为2.5V@1mA，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为400 mA，Vds漏极-源极击穿电压为90 V，Rds漏极源极电阻为4欧姆，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强。
VQ1006P-2是MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP，包括2.5V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于90 V，提供单位重量功能，如0.042329盎司，晶体管类型设计用于4 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，Rds On Max Id Vgs为4.5 Ohm@1A，10V，该设备以2W功率最大提供，该设备具有1.3 W的Pd功耗，封装外壳为PDIP-14，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），信道数量为4信道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围是-55°C，它的最大工作温度范围为+150 C，输入电容Cis-Vds为60pF@25V，Id连续漏极电流为400 mA，FET类型为4 N通道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为90V，电流连续漏极Id 25°C为400 mA。配置为Quad，通道模式为增强型。
VQ1006P-5，电路图由SIL制造。VQ1006P-5采用CDIP14封装，是IC芯片的一部分。
