9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5908DC-T1-GE3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5908DC-T1-GE3参考价格为1.45000美元。Vishay Siliconix SI5908DC-T1-GE3封装/规格:MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8。您可以下载SI5908DC-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的,你可以通过电子邮件或在线信息联系我们,如SI5908DC-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
SI5908DC-T1-E3是MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8,包括TrenchFETR系列,它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI5908DC-E3的零件别名,该产品提供单位重量功能,如0.002998盎司,安装样式设计为在SMD/SMT中工作,以及TrenchFET商品名,该器件也可以用作8-SMD、扁平引线封装盒。此外,该技术为硅,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该器件具有安装型表面安装,通道数为2通道,供应商器件包为1206-8 ChipFET?,并且配置为双,FET类型为2 N通道(双),最大功率为1.1W,晶体管类型为2 N-通道,漏极到源极电压Vdss为20V,FET特性为逻辑电平门,电流连续漏极Id 25°C为4.4A,最大Id Vgs的Rds为40 mOhm@4.4A,4.5V,Vgs最大Id为1V@250μA,栅极电荷Qg Vgs为7.5nC@4.5V,Pd功耗为2.1W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为36 ns,上升时间为36纳秒,Vgs栅极-源极电压为8 V,Id连续漏极电流为5.9 A,Vds漏极-源极击穿电压为20 V,Rds漏极源极电阻为40 mOhms,并且晶体管极性是N沟道,并且典型关断延迟时间是30ns,并且典型接通延迟时间是20ns,并且沟道模式是增强。
SI5906DU-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET,包括2.2V@250μA Vgs th Max Id,它们设计为与PowerPAKR ChipFet双供应商器件封装一起工作,数据表说明中显示了用于TrenchFETR的系列,提供Rds on Max Id Vgs功能,例如31 mOhm@4.8A,10V,Power Max设计为10.4W,以及Digi-ReelR封装,该器件还可以用作PowerPAKR ChipFET?双封装外壳,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该器件为表面安装安装型,该器件具有300pF@15V的输入电容Ciss Vds,栅极电荷Qg Vgs为8.6nC@10V,FET类型为2 N沟道(双),FET特性为逻辑电平门,漏极到源极电压Vdss为30V,25°C的电流连续漏极Id为6A。
SI5905DC-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8,包括3A电流连续漏极Id 25°C,设计用于8V漏极到源极电压Vdss,数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性,该逻辑电平门提供FET类型特性,如2 P通道(双),栅极电荷Qg Vgs设计用于9nC@4.5V,以及表面安装安装型,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,封装外壳为8-SMD,扁平引线,设备采用磁带和卷轴(TR)封装,设备最大功率为1.1W,最大Id Vgs的Rds为90mOhm@3A,4.5V,系列为TrenchFETR,供应商设备封装为1206-8 ChipFET?,Vgs th Max Id为450mV@250μA(Min)。