9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4288DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4288DY-T1-GE3参考价格为1.45000美元。Vishay Siliconix SI4288DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO。您可以下载SI4288DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4286DY-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI4286DY GE3的零件别名，该SI4286DY-GE3提供单位重量功能，例如0.019048盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ，功率最大值为2.9W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为375pF@20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为7A，Rds最大值Id Vgs为32.5 mOhm@8A、10V，Vgs最大值Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为10.5nC@10V，Pd功耗为2.9W，下降时间为7ns，上升时间为11ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为27mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10ns，典型导通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为6.8nC，并且正向跨导Min为27S。
SI4286DY-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI4286DY-T1-E3采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
Si4288DY，带有VISHAY制造的电路图。Si4288DY在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
