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PHN210118是MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC，包括TrenchMOS？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的封装盒，其工作温度范围为-65°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-SO供应商器件封装，该器件也可以用作2 N通道（双通道）FET类型。此外，功率最大值为2W，器件提供30V漏极到源极电压Vdss，器件具有250pF@20V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，Rds On Max Id Vgs为100 mOhm@2.2A，10V，Vgs th Max Id为2.8V@1mA，栅极电荷Qg-Vgs为6nC@10V。
PHN205和KEXIN制造的用户指南。PHN205在SOP08封装中提供，是IC芯片的一部分。
PHN210T，带有NXP制造的电路图。PHN210T在SOP8封装中提供，是FET阵列的一部分。
